【第3代半導體商機發光】
第三代半導體以碳化矽(SiC)以及氮化鎵(GaN)為代表，雖然同為第三代半導體材料，但應用略有不同且各有所長。
📌碳化矽的耐高溫以及高壓特性，在高壓(上千伏)、大電流產品擁有極佳的表現。目前市場最看好在電動車應用，包括充電樁、逆變器、轉換器、充電樁及儲能系統。
📌氮化鎵有很好的移動性，適用在頻率高的產品，此特性在基地台、5G通訊相關等高速產品具優勢。
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隨著5G通訊、電動車、碳中和….等趨勢加速展開，碳化矽（SiC）材料及氮化鎵（GaN）因具備更高效節能、更高功率等優勢，成為市場眼中的明日之星，目前歐、美、中、日等各國無不卯足全力競爭，航向第三代半導體新藍海。身為半導體重鎮的台灣自然不會缺席，除了晶圓材料、晶圓代工、封測全面動員外，鴻海集團也宣示要分食商機。
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